Amigos, supongo se habrán hecho la pregunta ya…La V-NAND es un Vertical Array de Celdas que pueden ser escritas en MLC o TLC, generalmente se usa MLC. Ahora bien, 3DNand desarrollada por Micron e Intel también lo es. Pero la 3DNand es reciente y V-NAND ya está hace unos Años entonces por qué Samsung lleva le Liderazgo ?
La explicación en palabras es sencilla pero no la parte electrónica. Básicamente la diferencia está en que Samsung Utiliza Charge Trap para Guardar y Retener el dato en la Celda y 3DNand Utiliza Floating Gate. Ambos términos se refieren a guardar los datos en la celda de forma eléctrica y a un nivel de nanómetros. Como uds sabrán las Celdas de
Memorias utilizan MOSFET (Transistores de Metal Oxide de Efecto de Campo) en una especie de Sandwich.
Bueno ahí tienen la diferencia, el Charge Trap está Patentando por Samsung.
Al día de hoy Samsung es Líder en Velocidad de Discos de Estado Sólido de Tecnología NVMe y siguen desarrollando más y más así que veamos que depara el futuro y con qué vendrán para el Año 2018.
5 comentarios en “Por qué Samsung V-NAND es Tecnología mas vieja que 3D NAND pero más Rápida ?”