Por qué Samsung V-NAND es Tecnología mas vieja que 3D NAND pero más Rápida ?

Amigos, supongo se habrán hecho la pregunta ya…La V-NAND es un Vertical Array de Celdas que pueden ser escritas en MLC o TLC, generalmente se usa MLC. Ahora bien, 3DNand desarrollada por Micron e Intel también lo es. Pero la 3DNand es reciente y V-NAND ya está hace unos Años entonces por qué Samsung lleva le Liderazgo ?
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La explicación en palabras es sencilla pero no la parte electrónica. Básicamente la diferencia está en que Samsung Utiliza Charge Trap para Guardar y Retener el dato en la Celda y 3DNand Utiliza Floating Gate. Ambos términos se refieren a guardar los datos en la celda de forma eléctrica y a un nivel de nanómetros. Como uds sabrán las Celdas de
Memorias utilizan MOSFET (Transistores de Metal Oxide de Efecto de Campo) en una especie de Sandwich.
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Bueno ahí tienen la diferencia, el Charge Trap está Patentando por Samsung.
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Al día de hoy Samsung es Líder en Velocidad de Discos de Estado Sólido de Tecnología NVMe y siguen desarrollando más y más así que veamos que depara el futuro y con qué vendrán para el Año 2018.

5 comentarios en “Por qué Samsung V-NAND es Tecnología mas vieja que 3D NAND pero más Rápida ?

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