Como todos sabemos el Gigante Sur Coreano Samsung es conocido no solo por sus Celulares sino en todo el mundo de la electrónica y del almacenamiento. Su afamada Serie de SSD’s EVO dio mucho que hablar y luego cuando introdujeron la Memoria V-NAND marcaron un hito y siguen teniendo al día de hoy las unidades de estado sólido más rápidas del mercado.
Este nuevo proceso es sobre los Transistores de Efecto de Campo 3D FinFET y de 11 nanómetros, es decir 11 millonésima parte de 1 metro. 11LPP como se denomina todo este conjunto de siglas (Proceso de 11 nanómetros Low Power Plus) agrega un 15% más de rendimiento y una reducción del 10% del área del chip que su antecesor 14LPP utilizando el mismo consumo energético.
Samsung también ha confirmado su 7LPP yendo aún más lejos y utilizando la Tecnología de Litografía de EUV (Ultra Violeta Extremo), algo que no es nuevo y que Samsung utiliza desde el año 2014 habiendo procesado más de 200.000 Obleas (Wafers) de Silicio.
Ryan Lee, Vice Presidente y Líder de Marketing de Samsung Electronics dice: “Con esto Samsung ha completado una hoja de ruta excepcional empezando en los 14nm a los 11nm, 10nm, 8nm y ahora 7nm en los siguientes 3 años”.
Un comentario en “Samsung anuncia su nuevo proceso de integración de 7 y 11 nanómetros LPP (Low Power Plus) con EUV (Extreme Ultra Violet)”