Samsung sale a competir con Intel Optane 3D XPoint con su Z-NAND basada en NAND flash SLC

El Gigante Coreano Samsung ha sido sin duda alguna el ganador por lejos en velocidad de Discos de Estado Sólido basados en NAND flash y en especial su NAND flash propietaria V-NAND. Su última Serie de SSD M.2 NVMe PCIe 960 PRO alcanza velocidades secuenciales de Lectura de 3500MB/s y 2500MB/s algo que hasta hoy nadie ha podido superar. Pero, si vamos a lo que realmente importa y esto es la Lectura y Escritura en sectores de 4K, entonces este terreno ha sido conquistado por la Alianza de Intel & Micron con su Producto Optane basado en 3D XPoint y NO NAND flash.

Samsung Z-NAND:

Resultado de imagen para Z-SSD

Justamente lo que hace la diferencia entre NAND flash y 3D XPoint es que este último es mucho más rápido en Lectura/ Escritura de sectores 4K algo que nuestro Sistema Operativo lee y escribe todo el tiempo desde que encedemos el PC, jugamos, trabajamos, editamos video y todo lo que se les ocurra.

Especificaciones de Optane:

Imagen relacionada

Samsung Z-NAND es una nueva forma de NAND flash SLC (Single Level Cell), es decir Celda Simple de 1bit, con un controlador perfeccionado con muchos tweaks y mejoras capaces de lograr un enorme volumen de IOPS (Operaciones de Entrada/ Salida) en Lectura/ Escritura secuencial al azar con cargas muy pesadas de datos. SLC se usó en los primeros Discos de Estado Sólido (SSD) y luego se empezó a utilizar MLC (Multi Level Cell 2 bits) y TLC (Triple Level Cell 3 bits), pero MLC ha sido hasta hoy la ganadora en rendimiento, consumo, duración y más.

Tipos de NAND flash no 3D:

Resultado de imagen para SLC MLC TLC

 

Así que podríamos decir que Samsung ha vuelto a las raíces al utilizar SLC para competir con 2 Gigantes como Intel y Micron y su nuevo desarrollo ganador Optane 3D XPoint. Si comparamos Intel Optane 750GB P4800X con Samsung Z-NAND 800GB SZ985 vamos a notar que las Lecturas al azar en IOPS son mayores que las de Intel Optane, las diferencias son de 750K contra 550K, pero en Escritura Samsung cae a 175K contra 550K de Optane. El Ancho de Banda en Lectura/ Escritura parece estar a favor de Samsung con 3.2GB/s de Lectura/ Escritura, mientras que Optane P4800X llega a los 2.4GB/s de Lectura y 2.0GB/s de Escritura. Cabe señalar que ambas tecnologías tienen la misma duración en el tiempo.

Intel Optane P4800X vs Samsung SZ985:

Captura

Esperemos tener más resultados pronto de esta fascinante y nueva tecnología de Samsung, era de esperar que el gigante Coreano no se quedara sentado a mirar lo que los demás hacían.

Fuente: techpowerup, Guru3D

 

6 comentarios en “Samsung sale a competir con Intel Optane 3D XPoint con su Z-NAND basada en NAND flash SLC

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