Samsung comienza a fabricar su primer UFS (Universal Flash Storage) de 512GB con V-NAND de 64 Capas

Hace unos días les contaba en este artículo que Toshiba había empezado a fabricar sus primeros UFS (Universal Flash Storage) de hasta 256GB con su flamante BiCS 3D flash. Ahora Samsung empieza la fabricación de hasta 512GB de eUFS (Embedded Universal Flash Storage) una solución para la nueva generación de dispositivos móviles. Para ello Samsung está utilizando sus chips de NAND flash V-NAND de 64 Capas. V-NAND es el nombre que le ha dado Samsung a su NAND flash de 3 dimensiones, así como Intel y Micron tiene 3D NAND y Toshiba BiCS 3D flash.

El Nuevo eUFS de Samsung de 512GB dará más poder de almacenamiento a la nueva generación de dispositivos móviles premium como smartphones, tablets y más. De esta forma, Samsung cumple con la creciente demanda por espacio y velocidades venciendo las limitaciones en los dispositivos actuales.

Samsung eUFS consiste en Chips con 8 pilas de V-NAND de 64 Capas más un Chip Controlador, todo en un mismo paquete. La nueva eUFS de Samsung de 512GB duplica en densidad (almacenamiento) a su previa generación de 48 Capas también con V-NAND de 256GB eUFS utilizando el mismo espacio que ocupa esta última (el mismo footprint). Un smartphone que utilice esta nueva tecnología sería capaz de almacenar 130 Videos grabados en 4K con una duración de 10 min cada uno.

Para maximizar el rendimiento y el consumo energético de la eUFS de 512GB, Samsung ha introducido un set de nuevas tecnologías propietarias, es decir de su autoría. V-NAND de 64 Capas con circuitos avanzados y un mejor diseño que los hacen de menor consumo energético. Otro de los puntos fuertes son la Lectura/Escritura Secuencial llegando hasta los 860MB/s y 255MB/s respectivamente. La Memoria Samsung eUFS de 512GB transfiere un equivalente de 5GB de Video en Full HD a un SSD en aprox. seis segundos, esto es ocho veces más rápido que una Tarjeta microSD. En las Operaciones de Lectura/Escritura al azar (random IOPS) puede 42.000 y 40.000 IOPS respectivamente, esto es unas 400 veces más rápido que los 100 IOPS de una Tarjeta microSD convencional.

Fuente: Guru3D

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