MCDRAM por sus siglas en Inglés Multi-Channel DRAM o Memoria DRAM Multi-Canal es un tipo de Memoria Apilada en Capas de 3 Dimensiones o 3D DRAM usada para los Procesadores Intel Xeon Phi “Knights Landing”. Es una versión de HBM (High Bandwith Memory) y un competidor para HMC (Hybrid Memory Cube).

La enorme cantidad de Cores en los Procesadores Xeon Phi junto a sus unidades de procesamiento vectorial asociadas AVX hacen que este consuma muchos más gigabytes por segundo algo que no podría soportar un módulo de DRAM DIMM convencional. La parte “Multi-Canal” de MCDRAM indica que los Cores en el Procesador tendrán más canales disponibles para accesar la MCDRAM llegando hasta los 400+GB/s de ancho de banda, pero con una latencia (tiempo de acceso) igual a los DIMMs en DRAM tradicional.

Imágenes ilustrativas de la base de MCDRAM: Usando HMC (Hybrid Memory Cube)

Las capas de Memoria DRAM se apilan para forma un array vertical como se hace en 3D NAND flash con las Celdas de Memoria. Estas capas se interconectan a través de la Tecnología TSV (Through Silicon Via).

Intel Xeon Phi Knights Landing:

Observen la memoria HMC a los costados del Die

Video de Micron HMC:

Fuente: insidehpc, epdtonthenet