Samsung Lanza su serie Z-SSD de 800GB basado en Z-NAND para Supercomputadoras e Inteligencia Artificial

Como ya les había mencionado, Samsung tenía casi lista Z-NAND para competir con Intel Optane y su 3D XPoint. En el día de hoy Samsung lanzó su primer SSD de la línea Z-NAND el SZ985 Z-SSD el cual está destinado a Supercomputadoras e Inteligencia Artificial. Si bien es algo común que las primeras series se manden a los datacenter y lugares de procesos pesados para su test extensivo, también hubiera estado bueno que Samsung lanzara algo para el mercado “consumer”, es decir nosotros.

samsung z ssd nand teaseds.

Samsung mostró por primera vez la serie que sería llamada “Z” en el “Cloud Expo Europe Convention” y en forma de Tarjeta PCI Express 3.0. El nuevo medio de almacenamiento de la compañía hizo su primer debut público durante el famoso evento “Flash Memory Summit” en Agosto del 2016 el cual estaba equipado con la Memoria Samsung Z-NAND, derivada de su conocida V-NAND de 4ta Generación.

El nuevo Z-SSD de Samsung es 10 veces más rápido en lectura que su V-NAND de 3-bit ya que está basado en su flamante Z-NAND en la que han hecho una vuelta atrás a NAND flash SLC tal como lo explico en el Artículo:

Samsung Z-NAND: es una nueva forma de NAND flash SLC (Single Level Cell), es decir Celda Simple de 1bit, con un controlador perfeccionado con muchos tweaks y mejoras capaces de lograr un enorme volumen de IOPS (Operaciones de Entrada/ Salida) en Lectura/ Escritura secuencial al azar con cargas muy pesadas de datos. SLC se usó en los primeros Discos de Estado Sólido (SSD) y luego se empezó a utilizar MLC (Multi Level Cell 2 bits) y TLC (Triple Level Cell 3 bits), pero MLC ha sido hasta hoy la ganadora en rendimiento, consumo, duración y más.

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Además, el Z-SSD tiene 1.5GB de LPDDR4 DRAM junto a un controlador de alto rendimiento. Armado con algunos de los componentes más avanzados que existen en la industria al día de hoy, el Z-SSD de 800GB es 1.7 veces más rápido en Lectura al Azar a unos 750K IOPS y con 5 veces menos latencia con unos imponentes 16 microsegundos de acceso comparado al SSD NVMe PM963 basado en V-NAND de 3-bit. El Z-SSD además tiene una Escritura Secuencial al Azar de 170K IOPS.

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Debido a su alta confiabilidad el Z-SSD de 800GB garantiza hasta 30 Veces más Operaciones de Escritura por Día (DWPD) por un período de 5 Años o lo que sería un total de 42 Petabytes. Esto se traduce en almacenar 8.4 millones de películas Full-HD de 5GB durante un período de cinco años. Esta característica es única en la la Z-NAND que utiliza el nuevo SSD de Samsung.

Samsung dará a conocer dos versiones de su Z-SSD en tamaños de 800GB y 240GB en la “International Solid-State Circuits Conference” este 11 al 15 de febrero en San Francisco.

Fuente: digitaltrends, guru3d

Foto portada: tomshardware

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