Samsung Presenta su Nuevo SSD PM1643 de 30TB SAS, la Mayor Capacidad a la Fecha con 2.1GB/s de Lectura y 1.7GB/s de Escritura

Samsung ha anunciado su nueva generación de SSD PM1643 SAS (Serial Attached SCSI) y ya han marcado un Nuevo Récord Mundial en Capacidad de Almacenamiento con unos Impresionantes 30.72TB. La nueva bestia del Gigante Sur Coreano lleva a bordo la última tecnología de almacenamiento para la nueva generación de SSD’s de alta capacidad orientados a sistemas de almacenamiento para el gobierno, salud, mercados educativos y más.

Samsung-30TB-Inline

El Nuevo Samsung SSD PM1643 de 30TB tiene el doble de capacidad del actual Samsung PM1633a de 15.36TB que fue presentado en el año 2016 con una velocidad de Lectura/ Escritura de 1350MB/s y 1300MB/s respectivamente, mientras que el nuevo SSD PM1643 lo supera con una Lectura de 2100MB/s y 17000MB/s de Escritura. Samsung ya había presentado SSD Empresariales como el SSD PM1725a de hasta 6.4TB y unos impresionantes 3300MB/s de Lectura y 2900MB/s de Escritura pudiendo escalar a unos imponentes 6400MB/s de Lectura y 3000MB/s de Escritura usando la versión HHHL usando un Slot PCIe x8.

Samsung SSD PM1633a SAS hasta 15.36TB Formato 2.5″:

Velocidad de Lectura/ Escritura: 1350MB/s y 1300MB/s

2.5インチSAS対応のエンタープライズ向けモデル「PM1633a」。容量は480GB/960GB/1.92TB/3.84TB/7.68TB/15.36TBで、3bit MLC V-NANDを採用。コントローラはREXで、シーケンシャルリードは最大1,350MB/s、シーケンシャルライトは最大1,300MB/s。4KBランダムリードは最大20万IOPS、4KBランダムライトは最大3万7,000IOPSである

Samsung SSD PM1725a NVMe hasta 6.4TB Formato 2.5″:

Velocidad de Lectura/ Escritura: 3300MB/s y 2900MB/s

Imagen relacionada

Samsung SSD PM1725a HHHL NVMe hasta 6.4TB Formato HHHL:

Velocidad de Lectura/ Escritura: 6400MB/s y 3000MB/s

HHHLフォームファクタNVMe対応の高速SSD「PM1725a」。容量は1.6TB/3.2TB/6.4TBで、3bit MLC V-NANDを採用。コントローラはEpicで、シーケンシャルリードは最大6,400MB/s、シーケンシャルライトは最大3,000MB/s。4KBランダムリードは最大1080,000IOPS、4KBランダムライトは最大170,000IOPSである

Samsung hizo posible llegar a los 30TB combinando varios avances tecnológicos. Primero, usaron NAND flash TLC 3-bit para construir un CI (Circuito Integrado) de 512Gb NAND. Cada uno de estos CI contiene 64 Capas de NAND. Samsung los apiló luego en 16 para crear un paquete de 1TB de NAND. Poniendo 30 de estos en una sola unidad de 2.5 pulgadas ahí tenemos el logro hecho realidad. El SSD también contiene 40GB de DDR4 conectados en 10 pilas de 4GB cada una a través de TSV (Through Silicon Via).

Nota del Editor:

Recordemos que Samsung es propietario de Tecnologías de Memoria NAND Flash muy Avanzadas como V-NAND y Z-NAND. La primera son Celdas de Memoria NAND flash apiladas en forma Vertical hasta un máximo de 64 Capas utilizando la “misma huella”, es decir el espacio físico que usaría una Celda de Memoria NAND flash 2D. La segunda es una vuelta a NAND flash SLC Super Optimizada y con un Nuevo y Rápido Controlador con velocidades que lo hacen muy competitivo con Intel Optane 3D XPoint.

Fuentes: pc.watch, tweaktownextremetech

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