Toshiba Anuncia su 3D Flash de 96-Capas QLC (4-bit) por Celda de Memoria

Toshiba Memory Corporation el segundo líder mundial en la fabricación de memoria NAND flash anunció en Junio del 2017 que ya tenía operativo un prototipo y sample de su producto BiCS 3D flash de 96-Capas TLC (3-bit). Un array tri-dimensional que consta de 96 capas de celdas TLC (Triple Level Cell) apiladas una sobre la otra, todo en la huella de un solo chip. Su sample es un chip de 256 gigabit, es decir 32 gigabytes y su producción en masa se pautó para el año 2018.

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Hoy Toshiba ha dado un paso más y ya tiene BiCS 3D flash de 96-Capas QLC (Quadruple Level Cell), es decir un array tri-dimensional que consta de 96 capas de celdas QLC (4-bit) donde cada celda de memoria almacena 4-bits. Esto le permite al fabricante tener una mayor densidad por chip, es decir 512 gigabit (64 gigabytes) por IC.

Este diseño innovador de 96-Capas junto a un proceso avanzado en la fabricación de  circuitos permite alcanzar tamaños de hasta un 40% más sobre la generación anterior de memoria 3D flash de 64-Capas, reduciendo así el costo por bit e incrementando la capacidad por cada oblea de silicio.

La nueva memoria será fabricada en las facilidades Fab 5, Fab 2 y Fab 6 en Yokkaichi Japón en el correr de este año 2018.

Fuente: eenewsanalogbusinesswire

 

 

 

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