Intel y Micron Anuncian la Primera 3D NAND QLC (4-bit) de la Industria con una Densidad de 1TB por Die

Como Uds. saben, Intel y Micron son propietarios de la Memoria 3D NAND, de hecho, cada vez que nos referimos a esta siendo “3D NAND” hacemos referencia al desarrollo en conjunto de Intel y Micron aunque SK Hynix usa el mismo. Toshiba tiene su propia BiCS 3D flash, Samsung su V-NAND y Z-NAND. Las novedades de hoy dicen que Intel y Micron han anunciado la producción y ya el despacho de la primera 3D NAND QLC (Quadruple Level Cell) de 64-Capas. Los samples fueron entregados a clientes selectos y se esperan nuevos productos para fines de este verano. Con una estructura 3D de 64-Capas y 4-bit por Celda esta nueva memoria flash tendrá una densidad de 1TB por die.

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Las compañías han anunciado también progresos en el desarrollo de 3D NAND de 96-Capas TLC (Triple Level Cell) 3-bit utilizando “CMOS under Array” (CuA Technology) para reducir el tamaño del die y dar un mejor rendimiento en comparación a la competencia.

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Aprovechando más planos frente a solo dos de la competencia, la nueva memoria nand flash de Intel & Micron puede escribir y leer más celdas en paralelo, lo que brinda un rendimiento más rápido y un mayor ancho de banda a nivel del sistema.

Fuente: Guru3D

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