Samsung habla de su Proceso de Fabricación de Chips desde los 7nm hasta los 3nm con Tecnología Gate-All-Around y Multi-Bridge-Channel FET

Sin duda Samsung es una compañía que no para de asombrar al mundo presentando nuevas tecnologías día a día.  La semana pasada han dado una actualización de lo que vendrá referente al proceso de fabricación de sus chips. Desde los 10 nanómetros hasta los 7 nanómetros y luego los primeros detalles de su proceso de 3 nanómetros. En la segunda mitad de este año Samsung empezará con la fabricación de chips usando su proceso 7LPP (7nm Low Power Plus) el cual se basa en la tecnología EUV (Extreme Ultra Violet).

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Actualización de “Hoja de Ruta” en el Tecnología del Proceso:

  • 7LPP (7nm Low Power Plus): 7LPP, es la primera tecnología de semiconductores que usará litografía EUV y está pautado a entrar en producción en la segunda mitad de este año 2018.
  • 5LPE (5nm Lower Power Early): una innovación inteligente del proceso 7LPP, 5LPE permitirá mayor escala de área y beneficios en el consumo energético.
  • 4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus): mediante el uso de una tecnología madura de FinFET el proceso será extendido a los 4 nanómetros. Para última generación de FinFET los 4nm proveerán un menor tamaño de celda, mejor rendimiento y una aceleración rápida hasta el nivel estable de rendimiento mediante la adopción de 5LPE, lo que da una migración sencilla.
  • 3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus): el proceso de 3 nanómetros adoptará la próxima generación de arquitectura GAA (Gate-All-Around). Para superar las limitaciones físicas de escalado y rendimiento de la arquitectura FinFET, Samsung está desarrollando una tecnología única llamada GAA (Gate-All-Around), MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) que utiliza un dispositivo de nano hojas. Realzando el control en la compuerta, el rendimiento de los nodos de 3nm será mejorado en forma significativa.

Fuente: samsung

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